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问：pg电子的 DDR 最高速率能跑到几多？？？？？？？？

答：典范器件的速率如下，，，，，，，，更多更新的内容请参考UG00022_DDR控制器_IP用户指南

SA5Z-30：800Mbps

SA5Z-50：1066Mbps

SA5T-100：1600Mbps

SA5T-200：1866Mbps

问：讨教pg电子Sealion 2000系列的CPLD和FPGA器件有什么区别？？？？？？？？

答：主要的区别在于Sealion 2000系列CPLD提供内置Flash，，，，，，，，无需外部设置电路，，，，，，，，支持快速上电启动。。。。。。

问：LVDS吸收时输入的差模电压最小可以为几多？？？？？？？？

答：标准低压差分信号传输标准（LVDS）的共模电压为1.2V，，，，，，，，差分电压幅度要求为350mV。。。。。。pg电子FPGA作为输入时要求LVDS输入的差分电压至少为100mV，，，，，，，，可以包管输入信号正常。。。。。。

问：EBR(嵌入式存储器�？？？？？？？？�)支持什么特征？？？？？？？？

答： 1：9K/18K/36K 每个�？？？？？？？？橛�9216/18432/36864个存储位（包括奇偶校验位）；；；；；

2：真双端口RAM；；；；；

3：伪双端口RAM；；；；；

4：单端口RAM；；；；；

5：ROM;

6：内建FIFO控制器；；；；；

7：读写时钟自力；；；；；

8：多种数据位宽设置；；；；；

9：字节使能；；；；；

10：初始化文件，，，，，，，，在RAM和ROM模式下预加载存储器中的数据。。。。。。

问：pg电子的FPGA作为LVDS吸收时，，，，，，，，是否需要匹配电阻？？？？？？？？

答：pg电子推出的Seal系列FPGA，，，，，，，，SA5Z-30器件在LVDS吸收时需要外部增添100欧姆的匹配电阻。。。。。。Seal其他FPGA的内部具有匹配电阻，，，，，，，，无需外部增添，，，，，，，，用户在使用中可以通过HqFpga软件举行开启，，，，，，，，节约用户在LVDS吸收时的外部匹配电阻开销。。。。。。

问：怎样准确使用EBR IP?

答：使用RAM和ROM IP 可参考UG00016_嵌入式块RAM_IP用户指南，，，，，，，，使用FIFO IP 可参考UG00015_FIFO_IP用户指南文档。。。。。。